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RIC7S113：抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于太空等环境。
功能特点：
1. 独立高低侧栅极驱动器，±5V偏置电压。
2. 节省空间和重量，无需栅极驱动变压器。
3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。
4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。
5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。
6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。
7. 应用：卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。
| Orderable part number | Package type | Device class | Total ionizing dose leve | Temperature range (℃) | ||||
| RIC7S113A4SCS | Flatpack | Level S1 | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113A4SCB | Flatpack | Level B1 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113A4 | Flatpack | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDK | Die | Class K1 | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDH | Die | Class H2 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDV | Die | Visual Inspection Only | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4SCS | LCC CIC | Level S' | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4SCB | LCC CIC | Level Bl | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4 | LCC CIC | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4SCS | MO-036AB CIC | Level S | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4SCB | MO-036AB CIC | Level B1 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4 | MO-036AB CIC | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113EVAL1 | Evaluation Board | |||||||
