Linear Systems 3N165和3N166是单片双P通道增强型MOSFET，具有以下特点和应用优势：

　　主要特点

　　高输入阻抗：这使得它们非常适合需要高阻抗输入的应用，减少了对前级电路的影响。

　　高栅极击穿电压：允许在更高的电压下工作，增强了器件的可靠性和适用范围。

　　超低泄漏电流：在关闭状态下几乎不消耗电流，这对于低功耗和精密测量应用至关重要。

　　低电容：有助于减少信号延迟和失真，提高信号处理的精确度。

　　应用场景

　　模拟信号处理：由于其高输入阻抗和低泄漏特性，非常适合用于放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。

　　精密测量仪器：在需要高精度测量和低噪声的环境中，这些MOSFET可以提供稳定和可靠的性能。

　　高电压操作：在需要处理高电压信号的应用中，如电源管理和电压转换器，这些器件可以安全可靠地工作。

　　封装和引脚配置

　　SOIC封装：适合表面贴装技术，便于自动化生产。

　　- 引脚配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

　　TO-99封装：传统的通孔封装，适用于需要更高散热能力的应用。

　　- 引脚配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

规格参数：

　　Linear Systems 3N165和3N166单片双P通道MOSFET因其高输入阻抗、高栅极击穿电压、超低泄漏电流和低电容特性，在模拟信号处理和精密测量领域中表现出色。无论是SOIC还是TO-99封装，都提供了灵活的选择，以适应不同的设计和生产需求。

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