• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
    • <legend id="omgwe"></legend>
    • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
    • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    QT581L8OM-32.768kHz低电流高温振荡器Q-Tech

    发布时间：2024-08-05 09:09:12     浏览：503

    QT581L8OM-32.768kHz低电流高温振荡器Q-Tech

    　　QT581L8OM-32.768kHz是一款由Q-Tech生产的低电流高温振荡器，专为高精度实时时钟(RTC)设计，适用于极端温度环境。其特点包括：

    　　高精度：采用AT或IT切割石英晶体，提供宽温度范围内的高精度(-55°C至+200°C)。

    　　低电流消耗：超低功耗设计，适合电池供电应用，延长电池寿命。

    　　宽温度范围：能在极端温度条件下稳定工作。

    　　频率稳定性：提供±40ppm至±250ppm的频率稳定性。

    　　快速启动时间：快速达到稳定振荡状态。

    　　封装与可靠性：采用气密性陶瓷封装，确?；敌阅芎偷缙?。

    　　RoHS合规：符合环保标准。

    　　原产地与认证：美国制造，获得ECCN EAR99认证。

    　　应用领域包括石油和天然气勘探、航空航天、矿业、工业自动化、远程监控等需要高精度时间同步和长期稳定性的系统。

    详细规格参数如下：

    Parameters+3.3Vdc+2.5Vdc
    Output frequency range(Fo)32.768kHz
    Supply voltage(Vdd)+3.3Vdo±10%+2.5Vdo±10%
    Maximum Applied Voltage
    (Vddmax.)    		+5Vdo
    Frequency stability(△F/△T)See Ordering Information
    Operating temperature(Topr)See Ordering Information
    Storage temperature(Tsto)-55℃ to+125℃
    Operating supply current
    (Idd)(No  Load)    		0.42 mAtyp.,0.7mA max0.24 mA typ.,0.5mA max
    Symmetry
    (50%of ouput waveform)    		50/50%typ.,45/55%max.
    Rise and Fall times
    (Tr,Tf between 10%and 90%of output waveform)    		0.2μs typ.,lμs max.
    Output Load15pF
    Start-up time (Tstup)10ms max
    Output voltage (Voh/V6l)0.9xVdd min. ;0.1xVdd max.
    Output Current (Ioh/Iol)±2mA min
    Enable/Disable function Pin 1VIH≥0.7Vdd:Active
    VIL≤0.3Vdd:High Impedance
    Stand-by current:10μA max
    Aging±5ppm max,first year/±2ppm max,per year thereafter

    深圳市立维创展科技有限公司授权代理销售Q-TECH产品，备件现货，欢迎与业界同行合作。

    上一篇: URX850/URX851/MxL25641 AnyWAN宽带soc MaxLinear

    下一篇: Linear Systems 3N165/3N166单片双P通道MOSFET

    推荐资讯

    • Ampleon BLF13H9L750P功率晶体管：1.3GHz加速器应用
      Ampleon BLF13H9L750P功率晶体管：1.3GHz加速器应用 2025-02-10 09:02:02

      Ampleon作为全球领先的射频功率半导体解决方案提供商，依托NXP近60年在射频功率领域的技术与经验积累，为无线通信、广播等多领域提供高性能射频功率产品，广泛应用于5G基础设施等场景，彰显卓越实力与广泛影响力。主要用于1.3GHz频率的粒子加速器等高功率射频应用。

    • IR HiRel功率IGBT –绝缘栅双极晶体管
      IR HiRel功率IGBT –绝缘栅双极晶体管 2021-01-06 17:10:30

      IR HiRel的IGBT产品选择提供了多种不同的设备。IR-HiRel产品广泛应用于汽车、牵引、工业和消费系统。IR-HiRel的解决方案在正向和阻塞状态下具有非常低的功耗，只需要较低的驱动功率，并且具有较高的效率。IGBT可承受高达6.5 kV的电压，并在2 kHz至50 kHz的开关频率下工作。

    在线留言

    在线留言

     国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>