CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生产的一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。以下是该芯片的详细介绍：

　　主要特点

　　1. 访问速度：45 ns，这意味着从发出读取命令到数据可用之间的时间为45纳秒。

　　2. 工作温度范围：

　　- 工业级：-40 °C 至 +85 °C

　　- 汽车级A：-40 °C 至 +85 °C

　　- 汽车级E：-40 °C 至 +125 °C

　　3. 电压供应：4.5 V 至 5.5 V，适用于5V系统。

　　4. 引脚兼容性：与 CY62128B 系列芯片引脚兼容，便于升级和替换。

　　5. 低功耗：

　　- 待机电流：典型值为1 μA，最大值为4 μA(工业级)

　　- 工作电流：典型值为1.3 mA(在1 MHz频率下)

　　6. 存储扩展：通过 CE$ _1 $、CE$ _2 $ 和 OE 引脚支持存储扩展。

　　7. 自动断电：当设备未被选中或地址不变时，自动进入低功耗模式。

　　8. CMOS工艺：采用互补金属氧化物半导体工艺，优化了速度和功耗。

　　9. 环保封装：提供无铅和无卤素的封装选项，包括32引脚的STSOP、SOIC和TSOP封装。

　　功能描述

　　CY62128E 是一款组织为 128K 字 × 8 位的静态 RAM 芯片。它采用先进的电路设计，旨在提供极低的功耗，非常适合需要长时间电池寿命的便携式应用。

　　- 待机模式：当设备未被选中(CE$ _1 $ 高或 CE$ _2 $ 低)时，功耗减少超过99%。此时，八个 I/O 引脚(I/O$ _0 $ 至 I/O$ _7 $)处于高阻态，输出被禁用(OE 高)，或者写操作正在进行(CE$ _1 $ 低且 CE$ _2 $ 低且 WE 低)。

　　- 写操作：当 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高，并且 WE 低时，数据通过 I/O 引脚写入指定的内存位置。

　　- 读操作：当 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高，并且 OE 低同时 WE 高时，内存位置的数据通过 I/O 引脚读取。

　　CY62128E适合与具有 TTL 输入电平的处理器接口，但不适合需要 3V 输入电平的处理器。

　　应用

　　- 便携式设备

　　- 工业控制系统

　　- 汽车电子

　　- 通信设备