• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
  • <legend id="omgwe"></legend>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems

    发布时间:2024-04-29 09:28:46     浏览:600

      Linear Systems 2N/PN/SST4117系列单通道N沟道JFET放大器是针对高输入阻抗应用而设计的理想选择。它的特点包括低功耗和小的电路加载量,使其适用于需要高性能放大器的场合。

    Linear Systems 2N/PN/SST4117系列

      针对2N4117A型号,它的源极饱和电流(IDss)小于600微安,而栅极源极漏电流(lgss)在2N4117A系列中低于1皮安,这保证了低功耗和小的电路加载量。

      此外,该系列放大器在设计和性能上具有一些绝对最大额定值,需要在特定条件下测量并注意。该系列产品涵盖了不同封装形式下的尺寸和特性,如TO-72、TO-92和SOT-23。

      电气特性方面,该系列放大器具有稳定的栅极源极击穿电压(BVGss),在不同型号中保持了一致的性能范围。此外,其栅极反向电流非常低,进一步体现了其高性能特点。

    FEATURES
    LOW    POWER                Ioss<600μA  (2N4117A)
    MINIMUM CIRCUIT LOADING    less<1 pA (2N4117A Series)
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 3)
    @25°℃(unless otherwise noted)
    Gate-Source or Gate-Drain Voltage40V
    Gate-Current50mA
    Total Device Dissipation
    (Derate 2mWAC above 25℃)
    300mW
    Storage Temperature Range55°C to+150°℃
    Lead Temperature
    (1/16"from case for 10 seconds)
    300℃

    SYMBOLCHARACTERISTIC411741184119UNITS  CONDITIONS
    MINMAXMINMAXMINMAX
    BVgssGate Source Breakdown
    Voltage
    40
    40
    40
    Vg =-1μA Vos=0
    VgsGate-Source Cutoff Voltage0.6-1.8-1-32-6Vos =10V Io=1nA
    lossSaturation Drain Current
    ( NOTE 2)
    0.030.600.080.600.200.80mAVos =10V Ves=0
    GSsGate Reverse Current
    2N4117A,2N4118A,2N4119A
    ■■-1
    -1
    -1pAVcs =-20V Vos=0

    -2.5
    -2.5
    -2.5nA150℃
    PN4117,PN4118,PN4119
    SST4117,SST4118,SST4119
    ■■-10
    -10-10pAVos =-10V Vos=0

    -25
    -25m■-25nA1509℃
    gisCommon-Source  Forward
    Transconductance
    7045080650100700μSVos =10V Vas=0f=1kHz
    gosCommon-Source  Output
    Conductance

    3
    510
    CiCommon-Source Input
    Capacitance (NOTE  4)

    3
    33pFf=1MHz
    CrssCommon-Source  Reverse
    Transfer Capacitance (NOTE 4)

    1.5
    1.5
    1.5

    相关推荐:

    JFET双通道放大器Linear Systems 

    JFET单通道放大器Linear Systems 

    立维创展优势代理Linear Systems产品,价格优惠,欢迎咨询。

    推荐资讯

    • ADI晶圆核心芯片简要梳理
      ADI晶圆核心芯片简要梳理 2021-06-24 17:15:30

      根据NVIDIA和AMD宣布的技术路线图,GPU将于2018年进入12 nm/7nm工艺。目前,AI、与采矿机相关的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先进工艺。国内制造商已经出现了寒武纪、深鉴科技、地平线、比特大陆等优秀的集成电路设计制造商以实现突破,而制造主要依靠台积电和其他先进工艺合同制造商。

    • 继电器与晶体管的区别及应用
      继电器与晶体管的区别及应用 2023-12-15 09:07:29

      晶体管和继电器这两种器件都做相同的工作——它们打开和关闭电流——但它们使用非常不同的方法。根据您的经验和行业,您可以默认使用其中之一,但每种设备都有自己的优点和缺点。要评估哪种器件最适合您的应用,了解每种器件特性的细节非常重要。

    在线留言

    在线留言

    国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>