• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
  • <legend id="omgwe"></legend>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    MTI-Milliren412系列TCXO温补晶振

    发布时间:2024-07-10 09:05:39     浏览:423

    图片7.png

      MTI-Milliren412系列TCXO(温度补偿晶体振荡器)是一款高性能的晶振产品,具有以下特点和规范:

      特征

      环保标准:符合RoHS标准,确保产品环保无害。

      宽温度稳定性:在宽温度范围内具有严格的稳定性,适用于各种环境条件。

      频率调节:提供电压控制和内部微调器,用于电动频率调节。

      输出选项:削波正弦波输出或HCMOS/TTL兼容,具有低相位噪声。

      封装:采用14引脚DIP兼容封装,符合工业标准。

      规范

      频率范围:1.5 MHz 至 40 MHz。

      电源电压:支持5 V ± 5% 和 3.3 V ± 5%。

      输入电流:HCMOS/TTL兼容时,频率在1.5 MHz 至 9.999 MHz时最大20 mA,10 MHz 至 40 MHz时最大30 mA;削波正弦波输出的最大值为5 mA。

      频率稳定性:与温度的关系为±1 ppm至±5 ppm,具体取决于温度范围。

      温度范围:支持多种温度范围,如0°C至70°C,-40°C至85°C等。

      频率与电压的关系:±最大0.3 ppm / Vcc ± 5%。

      频率与负载的关系:±最大0.3 ppm / ±2 pF。

      老化:在25°C时,每年最大±1.0 ppm。

      相位噪声:-145 dBc/Hz(1kHz)。

      电气调谐

      可控频率选项:电压控制时,最小±5 ppm。

      控制电压:Vcc = 5 V时为2.5±2.0 V;Vcc = 3.3 V时为1.65±1.5 V。

      可凝固性:25°C时,5.0V部分为2.5±0.5 V DC,3.3V部分为1.65±0.4 VDC。

      正弦波输出

      非谐波杂散:-50 dBc(10 MHz 最大值)。

      谐波失真:-20 dBc(最大值,10 MHz)。

      输出负载:50欧姆用于纯正弦波;10 kOhms/10 pF(削波正弦波)。

      输出波形:正弦波或削波正弦波。

      输出电平:最小值0 dBm - 正弦波;1.0Vp-p 最小值 - 削波正弦波。

      HCMOS/TTL输出

      输出负载:最大10 TTL 或 15 pF HCMOS。

      逻辑电平:TTL:最小2.4V / 最大0.4V;HCMOS:最小0.9Vcc / 最大0.1Vcc。

      上升/下降时间:最大10 ns。

      占空比:没有三态时为60/40%;没有三态时为55/45%。

      MTI-Milliren412系列TCXO温补晶振适用于需要高稳定性和低相位噪声的应用,如通信设备、测试仪器和精密计时系统等。

    相关推荐:

    220系列恒温晶振OCXO

    222系列恒温晶振OCXO

    225系列恒温晶振OCXO

    263系列恒温晶振OCXO

    260系列石英晶振OCXO

    更多MTI-milliren品牌产品信息可咨询立维创展。

    推荐资讯

    • NXP LX2162A处理器:适用于边缘计算的高性能、低功耗紧凑型处理器
      NXP LX2162A处理器:适用于边缘计算的高性能、低功耗紧凑型处理器 2024-12-16 09:15:47

      NXP的LX2162A处理器,别名“LX2-Lite”,是一款高性能、低功耗的16nm FinFET工艺处理器,集成了16个Arm Cortex-A72核心,专为边缘计算设计。它支持高达105 Gbit/s的第二层以太网交换机、50 Gbit/s的安全加速器和88 Gbit/s的数据压缩引擎,适用于网络接口卡、COM Express Type 7??榈刃⌒桶蹇?。LX2162A提供卓越的计算性能和高速通信能力,支持多种以太网速度和PCIe Gen3通道,封装紧凑,功耗低,是边缘计算应用的理想选择。

    • Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET
      Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

      JANSR2N7626UBN单P沟道MOSFET具备抗辐射能力,-60V电压等级,-0.53A输出电流。特性包括单粒子效应强化、快速切换、低总门电荷、CMOS和TTL兼容。适用于负载点转换器、同步整流、配电电路等。产品型号:JANSR2N7626UBN。

    在线留言

    在线留言

    国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>