BQCTR-XXXMX-XXXXB晶體Bliley
發(fā)布時間:2024-06-18 09:18:18 瀏覽:1445
BQCTR-XXXMX-XXXXB晶體是Bliley一種專為高溫環(huán)境設(shè)計的電子元件,具有特定的物理特性和性能參數(shù),適用于無線通信系統(tǒng),尤其是5G和6G網(wǎng)絡(luò)。以下是對該晶體的詳細(xì)介紹:
物理特性
尺寸與重量:典型重量為1.5克。
設(shè)計特點(diǎn):專為高溫環(huán)境設(shè)計,具有HC標(biāo)識。
性能參數(shù)
頻率范圍:從500kHz到350MHz。
頻率精度:在+25℃時,根據(jù)選項可達(dá)±50ppm至±100ppm。
頻率穩(wěn)定性:
老化:第一年最大±1.0%至±5.0%。
等效串聯(lián)電阻(ESR):取決于頻率和模式,范圍在25Ω至1000Ω。
絕緣電阻:在100Vdc至±15Vdc時,最小值為500MΩ。
驅(qū)動電平:典型值為100μW。
分流電容(CO):最大(典型)值為1.0至5.0pF。
負(fù)載電容(CL):根據(jù)選項,典型值在6至20pF之間。
操作溫度范圍:
- 標(biāo)準(zhǔn):-20℃至+70℃。
- 擴(kuò)展:-40℃至+85℃。
存儲溫度范圍:-55℃至+125℃。
密封方法:電阻焊接。
濕度敏感性等級(MSL):符合MIL-STD-202方法214測試條件E和方法213測試條件G。
用途
該晶體特別適用于無線通信系統(tǒng),尤其是5G和6G網(wǎng)絡(luò),能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
相關(guān)推薦:
更多Bliley 相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
MICRON? DDR3 SDRAM比之前的DDR和DDR2 SDRAM提供更多的帶寬。除了出色的性能外,DDR3還具備較低的工作頻率范圍。結(jié)果可以是更高帶寬的實(shí)施系統(tǒng),同時消耗相等或更少的系統(tǒng)功率。
Broadcom?? BCM85668是一8通道、低功耗、低延遲、對稱PCIe Gen6和CXL 3.1集成MAC和PHY重定時器。該設(shè)備以64 GT/s的速度將根復(fù)合體(RC)和端點(diǎn)(EP)之間的范圍擴(kuò)大了兩側(cè)的損耗>36 dB。每條通道均支持多種數(shù)據(jù)速率,包括Gen6 (64G PAM4)、Gen5 (32G)、Gen4 (16G)、Gen3 (8G)、Gen2 (4G)和Gen1 (2.5G)。分支多路復(fù)用器和MAC支持1x 8通道、2x 4通道和4x 2通道的組合。
在線留言