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    Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET

    发布时间:2024-12-30 08:51:50     浏览:376

    Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET

      Solitron Devices SMF460这款MOSFET适用于需要高电压和高电流的应用,如电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。

      关键特性:

      连续漏极电流 (ID):10A

      导通电阻 (RDS(on)):300mΩ

      快速恢复二极管:内置

      雪崩额定:能够承受高能量脉冲

      封装:TO-254 密封封装

      背面隔离:提供额外的绝缘

      筛?。篔ANTX, JANTXV 筛选可用

      绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

      漏源电压 (VDSmax):650V

      栅源电压 (VGSM):±30V(瞬态)

      栅源电压 (VGSS):±20V(连续)

      连续漏极电流 (ID25):10A

      脉冲漏极电流 (ID(PULSE)):40A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

      功率耗散 (PD):116W

      结温范围,工作/存储 (TJ/TSTG):-55°C至150°C

      电气规格(TJ = 25°C,除非另有说明):

      体二极管正向电压 (VSD):1.4V(当IS = 10A, VGS = 0V)

      漏源击穿电压 (V(BR)DSS):650V

      栅阈值电压 (VGS(th)):3至5V

      关态漏极电流 (IDSS):10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

      栅源漏电流 (IGSS):±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

      漏源导通电阻 (RDS(on)):260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

      跨导 (Gfs):6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

      总栅电荷 (Qg(on), Qgs, Qgd):17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

      开关时间 (td(on), tr, td(off), tf):23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

      热阻 (RthJC):1.08°C/W

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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