IRHMS67260是一款抗辐射的N沟道MOSFET，具有200V的额定电压和45A的电流容量。它采用单通道设计，并使用R6封装，特别是TO-254AA低电阻封装。该产品还具备100 krads (Si) TID QIRL的特性，显示了其出色的抗辐射能力。

　　特点：

　　1. 低 RDS(on)：具有低导通电阻。

　　2. 快速切换：具有快速开关特性。

　　3. 单粒子效应 (SEE) 强化：具有抵抗单粒子效应的能力。

　　4. 总浇口电荷低：具有低输出电荷特性。

　　5. 简单的驱动要求：需要简单的驱动电路。

　　6. 密封的陶瓷孔眼：采用密封的陶瓷材料，具有优良的密封性和耐高温性。

　　7. 电气隔离：具有电气隔离功能。

　　8. 重量轻：整体重量较轻，适合对重量要求高的应用场景。

　　9. 符合ESD等级标准：符合3A级的ESD等级，符合MIL-STD-750，方法1020标准。

　　潜在应用包括DC-DC转换器、电力推进以及电机驱动等领域。这款产品适合在高辐射环境下使用，提供稳定可靠的性能。同时，产品的特性使其适用于需要快速开关和低输出电阻的应用场景。

　　注意：随着技术的进步和市场的变化，Infineon英飞凌推出了性能更优的替代产品JANSR2N7584T1。具体可咨询立维创展。

产品型号：

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