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1N5770是一款低电容二极管阵列，具有公共阳极，由多个独立的隔离结组成，通过平面工艺制造，并封装在10引脚的陶瓷扁平封装中。这些二极管用于?；ざ啻锇烁鯥/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响，通过将它们导向地线。该产品还与1N5768型号配合使用，后者具有公共阴极。此外，可以在正电源线和地之间添加外部TVS二极管，以防止电源轨上的过电压。它们也可用于快速开关核心驱动器应用，包括计算机和外围设备，如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等，以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的许多优势，如高密度封装和提高的可靠性，这是由于减少了拾放操作、更小的占用空间、更轻的重量，以及消除了可能在PCB安装中不太方便的各种离散封装。
特性与应用：
采用密封陶瓷封装。
隔离二极管消除串扰电压。
高击穿电压VBR > 60V(10μA)。
低漏电流IR < 100nA(40V)。
低电容C < 8.0pF。
提供符合MIL-PRF19500/474标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS筛选选项，通过在零件号前分别添加MQ、MX、MV或MSP前缀来指定。例如，MX1N5770表示JANTX筛选。
适用于高频数据线、RS-232 & RS-422接口网络、以太网10 Base T、计算机I/O端口、局域网、开关核心驱动器等。
最大额定值(机械和包装)：
反向击穿电压VBR：最小60V。
连续前向电流IO：300mA。
前向浪涌电流IFSM：500mA(tp=1/120s)。
每个结在25°C时的功率耗散：400mW。
每个封装在25°C时的功率耗散：500mW。
工作结温范围：-65至+150°C。
存储温度范围：-65至+200°C。
重量：约0.25克。
