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    IKW40N120T2 IGBT芯片

    发布于：2024-01-29 14:09:32

    品牌名称：Infineon英飞凌

    重要参数：

    功耗：480W

    工作温度：-40°C~175°C

    频率：2 kHz~20 kHz

    封装：PG-TO247-3

    • 产品详情

    1200 V, 40 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

    1200 V、40 A 硬开关TRENCHSTOP? IGBT4，采用续流二极管在 TO247 中封装，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT 和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗间可实现折衷，因此可实现高效率。


    特征描述

    更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降

    低开关损耗

    由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关

    非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管

    具有高鲁棒性、温度稳定的行为

    低电磁干扰辐射

    低栅极电荷

    非常严格的参数分配


    优势

    高效率 - 得益于低导通和低开关损耗

    600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计的高灵活性

    器件可靠性高


    参数：

    ParametricsIKW40N120T2
    Eoff (Hard Switching)3.8 mJ
    Eon4.5 mJ
    IC (@ 25°)   max75 A
    IC (@ 100°)   max40 A
    ICpuls   max160 A
    IF   max75 A
    IFpuls   max160 A
    Irrm31 A
    Ptot   max480 W
    PackageTO-247-3
    QGate192 nC
    Qrr3300 nC
    RG12 ?
    RGint-
    Switching FrequencyTRENCHSTOP?2 2-20 kHz
    Switching Frequency   min  max2 kHz   20 kHz
    TechnologyIGBT TRENCHSTOP? 2
    VCE(sat)2.3 V
    VCE   max1200 V
    VF1.75 V
    td(off)405 ns
    td(on)32 ns
    tf195 ns
    tr28 ns


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