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    IPP65R090CFD7 650V CoolMOS? SJ功率MOSFET

    发布于：2023-12-01 09:58:17

    品牌名称：Infineon英飞凌

    重要参数：

    RDS (on)   max：90 m?

    VDS   max：650 V

    封装：PG-TO220-3


    • 产品详情

    650V CoolMOS? CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想选择

    英飞凌的650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET采用 TO-65 封装的 IPP090R7CFD220 非常适合工业应用中的谐振拓扑结构，例如服务器,电信,太阳的和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显着提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET半导体场效应管系列，它具有更低的栅极电荷、改进的关断行为和更低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。


    订购信息：

    Type / Ordering Code

    Package

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    IPP65R090CFD7PG-T0220-365R090F7see Appendix A


    功能概要

    超快体二极管和极低的 Q 值RR型

    650V击穿电压

    与竞争产品相比，开关损耗显著降低

    最低 RDS(开)与温度的关系


    好处

    出色的硬换向坚固性

    为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度

    提高功率密度

    在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率

    提高工业SMPS应用中的满载效率

    与市场上的替代产品相比，价格竞争力


    潜在应用

    电动汽车快速充电

    服务器电源

    太阳能系统解决方案

    电信基础设施


    Parametrics
    ParametricsIPP65R090CFD7
    ID (@25°C)   max25 A
    ID   max25 A
    IDpuls   max107 A
    MountingTHT
    Operating Temperature   min  max-55 °C   150 °C
    Ptot   max127 W
    PackageTO-220
    Pin Count3 Pins
    PolarityN
    QG (typ @10V)53 nC
    QG53 nC
    RDS (on) (@10V)   max90 m?
    RDS (on)   max90 m?
    VDS   max650 V
    VGS(th)   min  max4 V   3.5 V   4.5 V


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