Ampleon LDMOS功率晶体管BLC9H10XS-350A

BLC9H10XS-350A	BLC9H10XS-350AZ
BLC9H10XS-500AY	BLC9H10XS-500AZ

BLC9H10XS-350A

350W LDMOS 封装非对称 Doherty 功率晶体管，适用于频率为 617 MHz 至 960 MHz 的基站应用。

参数：

象征	参数	条件	最小值	典型值/否	麦克斯	单位
f范围	频率范围		617		960	兆赫
PL（3分贝）	3 dB增益压缩时的标称输出功率			350		W
测试信号：1-c W-CDMA @ 617 至 652 MHz
VDS	漏源电压	617 至 652 MHz [0]		50		V
Gp	功率增益	617 至 652 MHz [0]		19.5		分贝
ηD	排水效率	617 至 652 MHz [0]		54.7		%
.PL（AV）	平均输出功率	617 至 652 MHz [0]		48		dBm的
ACPR公司	邻道功率比	617 至 652 MHz [0]		-26.7 [1]		dBc（分贝克）
测试信号：1-c W-CDMA @ 717 至 728 MHz
VDS	漏源电压	717 至 728 MHz [2]		46		V
Gp	功率增益	717 至 728 MHz [2]		18.9		分贝
ηD	排水效率	717 至 728 MHz [2]		55.1		%
.PL（AV）	平均输出功率	717 至 728 MHz [2]		47.5		dBm的
ACPR公司	邻道功率比	717 至 728 MHz [2]		-29.6 [3]		dBc（分贝克）
测试信号：1-c W-CDMA @ 869 至 894 MHz
VDS	漏源电压	869 至 894 MHz [4]		50		V
Gp	功率增益	869 至 894 MHz [4]		18.3		分贝
ηD	排水效率	869 至 894 MHz [4]		54		%
.PL（AV）	平均输出功率	869 至 894 MHz [4]		48		dBm的
ACPR公司	邻道功率比	869 至 894 MHz [4]		-31 [5]		dBc（分贝克）
测试信号：1-c W-CDMA @ 925 至 960 MHz
VDS	漏源电压	925 至 960 MHz [6]		50		V
Gp	功率增益	925 至 960 MHz [6]		19		分贝
ηD	排水效率	925 至 960 MHz [6]		53.5		%
.PL（AV）	平均输出功率	925 至 960 MHz [6]		48		dBm的
ACPR公司	邻道功率比	925 至 960 MHz [6]		-30.9 [7]		dBc（分贝克）

型号	包	大纲版	回流焊/波峰焊	包装	产品状态	标记	可订购部件号，（订购代码（12NC））
BLC9H10XS-350安培	SOT1273-1 （SOT1273-1)	SOT1273-1_po		卷筒 13“ Q1/T1 干式包装	积极	标准标记	BLC9H10XS-350AY （9349 601 39518）
BLC9H10XS-350安培	SOT1273-1 （SOT1273-1)	SOT1273-1_po		托盘，不可烘烤，多个干式包装	积极	标准标记	BLC9H10XS-350AZ （9349 601 39517）

BLC9H10XS-500A:

500W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为617 MHz至960 MHz的基站应用。

特点和优势

出色的坚固性

高效率

低热阻，提供出色的热稳定性

更低的输出电容，可提高 Doherty 应用的性能

专为低记忆效应而设计，提供出色的数字预失真能力

内部集成宽带输入匹配，易于使用

集成ESD?；?/p>

应用

射频功率放大器，适用于617 MHz至960 MHz频率范围内的基站和多载波应用