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选型：
BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ；BLC10G18XS-400AVT；BLC10G18XS-602AVT
BLC10G22XS-400AVT；BLC10G22XS-551AVT；BLC10G22XS-551AVTZ；BLC10G22XS-602AVTZ
BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ
BLC10G27XS-551AVT；BLC10G27XS-400AVT
BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ
360W LDMOS 封装非对称 Doherty 功率晶体管，适用于频率为 1805 MHz 至 1880 MHz 的基站应用。
BLC10G18XS-400AVT
400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为1805 MHz至1880 MHz的基站应用。
BLC10G18XS-602AVT
600W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为1805 MHz至1880 MHz的基站应用。
BLC10G22XS-400AVT：
400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2110 MHz至2200 MHz的基站应用。
BLC10G22XS-551AVT：
550W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2100 MHz至2200 MHz的基站应用。
BLC10G22XS-602AVT：
600W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2110 MHz至2170 MHz的基站应用。
BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ
320 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2500 MHz至2700 MHz的基站应用。
BLC10G27XS-551AVT
550 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2620 MHz至2690 MHz的基站应用。
BLC10G27XS-400AVT
400W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，适用于频率为2496 MHz至2690 MHz的基站应用。
特点和优势:
出色的坚固性
高效率
低热阻，提供出色的热稳定性
更低的输出电容，可提高 Doherty 应用的性能
专为低记忆效应而设计，提供出色的数字预失真能力
内部匹配，易于使用
集成ESD?；?/p>
符合关于有害物质限制 (RoHS) 的指令 2002/95/EC
应用：
射频功率放大器，适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围内的基站和多载波应用
