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    Solitron宽温碳化硅功率??镾D11902高密度半桥

    发布于:2023-10-31 11:03:43

    品牌名称:Solitron DEVICES INC

    重要参数:

    · 零正反向恢复

    · 与温度无关的开关行为

    · 极低的杂散电感

    · ALN基板,提高热性能

    · 用于温度监控的内部热敏电阻

    • 产品详情

      碳化硅 (SiC) 半导体是电源应用的创新选择,可提高系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。Solitron 将最新的先进 SiC 技术与独特的轻质封装相结合,推出了一系列新的高密度半桥和全桥???。??橹蟹浅5偷脑由⒌绺卸杂赟iC MOSFET的全速开关至关重要。高开关频率转化为更小的磁性元件,从而显著减小了系统重量和尺寸。Solitron使用先进的技术和材料,包括AlN衬底,增强了碳化硅MOSFET的高导热性。这样可以提高系统导热性、降低开关损耗和增强可靠性。

      Solitron 提供各种标准 SiC 功率???,包括半桥和全桥配置以及 PowerMOD 系列专用功率???。借助 PowerMOD 系列,用户可以从各种电路配置和封装选项中进行选择,以针对特定机会优化定制器件。

      碳化硅功率??槭强氐缭?、逆变器、电池充电器、驱动和电机控制应用的理想选择。

    Device Type
     
    Type Number
     
    Voltage
     
    Continuous
    Current
    RDS(on)
     
    Temp. Range
     
    Pinout
     
    Recovery
    Diodes
    Temperature
    Sensor
    Half BridgeSD119021200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesYes
    Half BridgeSD119031200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 ANoYes
    Half BridgeSD119041200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 AYesYes
    Half BridgeSD119051200V50A32mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
    Half BridgeSD119061200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesYes
    Half BridgeSD119561200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BYesNo
    Half BridgeSD119071200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
    Half BridgeSD119571200V105A13mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoNo
    Half BridgeSD11908650V50A15mΩ-40°C to 175°C3x6 BNoYes
    Half BridgeSD119101200V120A8mΩ-55°C to 175°C3x6 BNoYes
    Dual MOSFETSD119111200V120A8.6mΩ-55°C to 175°C4x6NoYes
    Dual MOSFETSD11912 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C4x6NoYes
    Full BridgeSD11915 *1200V40A32mΩ-55°C to 175°C4x10NoYes
    Full BridgeSD11916 *1200V50A8mΩ-55°C to 175°C4x10NoYes
    Half BridgeSD11918 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C6x6NoYes
    Half BridgeSD11919 *1200V105A13mΩ-55°C to 175°C6x6 SMDNoYes

    宽温碳化硅功率??镾D11902高密度半桥


    特点和优点

    ?优异的系统效率,由于低开关和传导损失的sic

    ?卓越的功率转换效率在高频操作

    ?高速开关w /低电容

    ?减少寄生电感和电容

    ?真正的开尔文源连接稳定栅极驱动

    ?隔离的背面直接安装到散热器

    ?铝基板和铜基板的导热性

    ?高结温操作

    ?低结壳热阻

    ?降低热需求和系统成本

    ?集成NTC温度传感器

    ?坚固的安装由于集成安装衬套

    ?低调紧凑的包装






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