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    vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

    发布时间：2025-03-18 09:14:46     浏览：335

    　　Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二进制 MOS 电容芯片，每片芯片包含五个不同容量的电容，以二进制增量排列，为用户提供了多种容量选择。这些芯片采用 Vishay Electro-Films 先进的薄膜设备和制造技术生产，并经过 100% 电气测试和目视检查，符合 MIL-STD-883 标准。

    vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

    　　特性

    　　可键合性：支持线键合。

    　　用户容量选择：芯片上有五个电容，容量以二进制增量排列。

    　　芯片尺寸：

    　　CBB：0.019" x 0.048"(0402 封装)

    　　CBC：0.044" x 0.044"(0404 封装)

    　　容量范围：CBB 最高 31 pF，CBC 最高 93 pF。

    　　介质材料：二氧化硅(Silicon Dioxide)。

    　　低介质损耗。

    　　基底材料：半导体硅，背面镀金。

    　　应用场景

    　　CBB 和 CBC 二进制 MOS 多值电容芯片设计用于通过常规线键合技术添加或减去电容，以调整混合电路。

    　　电气规格

    参数CBBCBC单位
    总容量最高 31 pF最高 93 pFpF
    容量值1, 2, 4, 8, 16 pF3, 6, 12, 24, 48 pFpF
    容差±10%±10%%
    直流工作电压75 V75 VV
    最大工作电压75 V75 VV
    峰值电压（+25°C）1.5 x 工作电压1.5 x 工作电压V
    损耗因数（1 kHz, 1 VRMS, +25°C）0.10%0.10%%
    Q 值（1 mHz, 50 mVRMS, +25°C）最小 1000最小 1000-
    温度系数（-55°C 至 +150°C）+15 ± 25 ppm/°C+15 ± 25 ppm/°Cppm/°C
    绝缘电阻（工作电压，+25°C）最小 10^9 Ω最小 10^9 ΩΩ
    工作温度范围-55°C 至 +150°C-55°C 至 +150°C°C

    　　机械规格

    参数CBBCBC
    芯片尺寸0.019" x 0.048" ± 0.002"（0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm）0.044" x 0.044" ± 0.002"（1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm）
    芯片厚度0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）
    芯片基底材料半导体硅半导体硅
    介质材料二氧化硅（MOS）二氧化硅（MOS）
    键合垫最小 10 k? 铝（可选金）最小 10 k? 铝（可选金）
    背面材料最小 3 k? 金最小 3 k? 金

    订购指南：

    image.png

    　　部分型号：

    　　CBB1153100BKWS

    　　CBB3100BKAHWS

    　　CBB3100BKGKWS

    　　CBB6200BKAHWS

    　　CBC6200BKAHWS

    　　CBC6200BKGHWS

    　　CBC9300BKAHWS

    　　CBC9300BKGHWS

    　　CBC9300BKGKWS


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