• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
  • <legend id="omgwe"></legend>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    PL10311NL高频平面变压器iNRCORE

    发布时间:2024-03-25 10:12:47     浏览:1388

    iNRCORE高频平面变压器是一款专为高频应用设计的平面变压器。相较于传统变压器,平面变压器具有更小的体积、更高的效率和更佳的散热性能,因此在高频、高功率密度及高效率的应用中表现出色。iNRCORE高频平面变压器在通信、电源、医疗、工业控制等领域都有广泛的应用。

    PL10311NL高频平面变压器iNRCORE

    特征:

    高度:0.339至0.382英寸(8.6至9.7毫米)MAX

    占地面积:0.921 x 0.850英寸(23.4 x 21.6毫米)MAX

    额定功率高达140W

    频率范围:200kHz ~ 700kHz

    隔离(主对次和核心):1750VDC

    操作和储存温度:-55°C至+125°C

    铅漆:Sn90/Pb10

    湿度敏感等级:1

    型号:

    Electrical Specifications @25°℃
    Part
    Number
    Turns Ratio
    100KHz,0.1Vrms
    ±5%
    Primary3
    nductance
    (μH MIN
    Leakage  ?
    nductance
    (μH MAX
    DCR
    (mΩ  MAX)
    Maximum
    Height (H)
    inch(mm)
    PriA:PriB:SeoPrimary APrimary BSecondary
    SCHEMATIC A1
    PL103011:1:11530.4517.517.570.339(8.6)
    PL103021:1.25:11940.4517.52070.339(8.6)
    PL103031.25:1.25:12400.45202070.339(8.6)
    PL103041.25:1.5:12900.50202570.339  (8.6)
    PL103051.5:1.5:13450.55252570.339  (8.6)
    SCHEMATIC A2
    PL103064:4:1:11530.4517.517.50.875&0.8750.339  (8.6)
    PL103074:5:1:11940.4517.5200.875&0.8750.339  (8.6)
    PL103085:5:1:12400.5520200.87580.8750.339  (8.6)
    PL103095:6:1:12900.6020250.875&0.8750.339  (8.6)
    PL103106:6:1:13450.6525250.875&0.8750.339(8.6)
    SCHEMATIC A3
    PL103114:4:2:11530.4517.517.51.75&1.750.339  (8.6)
    PL103124:5:2:11940.4517.5201.75&1.750.339  (8.6)
    PL103135:5:2:12400.5020201.75&1.750.382  (9.7)
    PL103145:6:2:12900.5020251.75&1.750.382 (9.7
    PL103156:6:2:13450.5525251.75&1.750.382  (9.7)

    相关推荐:

    INRCORE汽车BMS变压器 

    INRCORE高频巴伦适配器转换器 

    iNRCORE电流互感器 

    iNRCORE反激式变压器

    更多INRCORE相关产品信息可咨询立维创展。

    推荐资讯

    • IR HiRel开关稳压器
      IR HiRel开关稳压器 2021-04-16 15:24:40

      ?IR HiRel?作为电力能源半导体和能源效率技术应用的创新领导者,IR HiRel持续开发和研究最好和最先进的电源开关调节器。IR HiRel的解决方案适用于各种不同的行业市场和应用领域,将技术应用性能和高质量相结合在一起,能够 在任何行业应用中实现客户解决方案。

    • IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管
      IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

      ?IR-HiRel?氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容,非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率,降低了系统的整体成本,而且允许更高的工作频率,提高了功率密度和系统的整体效率。

    在线留言

    在线留言

    国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>