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    IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管

    发布时间：2021-02-22 17:15:14     浏览：1951

    IR-HiRel氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

    IR-HiRel GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。因为IR HiRe的CoolGaN? 晶体管没有少数载流子和体二极管，所以它们没有反向恢复。

    使用

    IR-HiRel系列在许多应用中给各种系统带来了可观的价值。这些e-mode HEMTs针对服务器和消费类工业应用，具有市场上最强大和性能概念，例如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频。

    在高功率应用中使用IR-HiRel的CoolGaN? 服务器电源和电信应用程序可以节省成本并增加每个机架的电源。由于其硬开关功能，它还允许更简单的控制方案和提高效率相比，下一个最好的硅替代品。

    GaN技术在适配器和充电器电源方面的突破是功率密度小、重量轻、效率高的解决方案。用IR-HiRel实现CoolGaN? 无线功率传输可以在更高的功率水平上实现高效率，实现E级设计中的最佳调节。

    CoolGaN? 400V设备D级音频最大限度地提高音频性能，提供卓越的音质。此外，几乎没有热设计限制，它非常易于使用，并与IR HiRel的ERU兼容? D类音频放大器兼容。

    深圳市立维创展科技有限公司，优势渠道供货IR HiRel高可靠性系列产品，欢迎各界前来咨询。

    详情了解IR HiRel，请点击：http : //www.mbaorg.cn/public/brand/65.html

    或联系我们的销售工程师： 0755- 83642657    QQ：  2295048674

     IR HiRel.png

    Product

    Package name

    Technology

    VDS max [V]

    RDS (on) max [?]

    QG [C]

    Mounting

    OPN

    ID  max [A]

    IDpuls max [A]

    ID  @25°C max [A]

    IGT60R070D1

    PG-HSOF-8

    CoolGaN?

    600

    70

    5.8

    SMT

    IGT60R070D1ATMA1

    31

    60

    31

    IGOT60R070D1

    PG-DSO-20

    CoolGaN?

    600

    70

    5.8

    SMT

    IGOT60R070D1AUMA1

    31

    60

    31

    IGLD60R070D1

    PG-LSON-8

    CoolGaN?

    600

    70

    5.8

    SMT

    IGLD60R070D1AUMA1

    15

    60

    15

    IGO60R070D1

    PG-DSO-20

    CoolGaN?

    600

    70

    5.8

    SMT

    IGO60R070D1AUMA1

    31

    60

    31

    IGT40R070D1 E8220

    PG-HSOF-8

    CoolGaN?

    400

    70

    4.5

    SMT

    IGT40R070D1E8220ATMA1

    31

    60

    31

    IGLD60R190D1

    PG-LSON-8

    CoolGaN?

    600

    190

    3.2

    SMT

    IGLD60R190D1AUMA1

    10

    23

    10

    IGT60R190D1S

    PG-HSOF-8

    CoolGaN?

    600

    190

    3.2

    SMT

    IGT60R190D1SATMA1

    12.5

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