Ampleon CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管现货

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Ampleon CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管现货

发布时间：2025-04-17 09:31:20 浏览：2069

　　Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是两款高性能的宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，适用于多种射频功率应用。

Ampleon CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管现货

　　产品概述

　　型号：CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。

　　功率：两款晶体管均提供100 W的射频功率。

　　频率范围：覆盖从直流(DC)到3.5 GHz的宽带频率范围，适用于多种通信和雷达系统。

　　应用场景：支持连续波(CW)和脉冲应用，适合高功率射频信号的放大和传输。

　　特点与优势

　　高功率输出：在1 dB增益压缩点的标称输出功率为100 W，能够满足高功率射频应用的需求。

　　高效率：在100 W输出功率下，漏极效率典型值为57%，这意味着在高功率输出时仍能保持较低的能耗。

　　低热阻：采用热增强型封装，能够有效散热，确保在高功率运行时的稳定性和可靠性。

　　高可靠性：具备出色的坚固性，能够在复杂的环境条件下稳定工作。

　　宽带操作：设计用于覆盖从直流到3.5 GHz的频率范围，能够满足多种应用需求，如通信、雷达和测试设备等。

　　符合环保标准：符合RoHS标准，符合环保要求。

　　参数规格

参数	符号	条件	最小值	典型值/额定值	最大值	单位
频率范围	frange	-	0	-	3500	MHz
1 dB增益压缩点的标称输出功率	PL(1dB)	-	-	100	-	W
漏源电压	VDS	-	-	50	-	V
输出功率	PL	-	-	118	-	W
功率增益	Gp	PL = 100 W	14	15	-	dB
漏极效率	ηD	PL = 100 W	52	57	-	%
输入回波损耗	RLin	PL = 100 W	-12	-10	-8	dB

Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商，提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线，适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域，深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线，欢迎咨询了解。

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