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    Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

    发布时间：2025-03-31 09:11:10     浏览：245

    Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

    　　产品名称

    　　2N4351 N-通道增强型 MOSFET

    　　订购型号：

    　　2N4351 TO-72 4L RoHS

    　　2N4352 TO-72 4L RoHS

    　　2N4351 Die

    　　2N4352 Die

    　　产品特点

    　　直接替代 Intersil 2N4351：兼容 Intersil 的 2N4351 产品。

    　　高漏极电流：最大漏极电流(ID)为 20mA。

    　　高跨导增益：跨导增益(gfs)为 1000μS。

    　　低导通电阻：漏极到源极导通电阻(rds(on))为 300Ω。

    　　低漏电流：漏极泄漏电流(IDSS)为 10nA。

    　　快速开关特性：

    　　开启延迟时间(td(on))：最大 45ns。

    　　开启上升时间(tr)：最大 65ns。

    　　关闭延迟时间(td(off))：最大 60ns。

    　　关闭下降时间(tf)：最大 100ns。

    　　绝对最大额定值(25°C 时)

    符号特性最小值典型值最大值单位条件
    BVDSS漏极到源极击穿电压-25-VID = 10μA, VGS = 0V
    VDS(on)漏极到源极导通电压-1-VID = 2mA, VGS = 10V
    VGS(th)栅极到源极阈值电压1-5VVDS = 10V, ID = 10μA
    IGSS栅极漏电流--±10pAVGS = ±30V, VDS = 0V
    IDSS漏极泄漏电流（关闭状态）--10nAVDS = 10V, VGS = 0V
    ID(on)漏极电流（导通状态）-3-mAVGS = 10V, VDS = 10V
    gfs正向跨导增益-1000-μSVDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
    rds(on)漏极到源极导通电阻-300-ΩVGS = 10V, ID = 100μA, f = 1kHz
    Crss反向传输电容-1.3-pFVDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
    Ciss输入电容-5-pFVDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
    Cdb漏极到体极电容-5-pFVDB = 10V, f = 140kHz


    　　温度范围：

    　　存储温度：-55°C 至 +150°C。

    　　工作结温：-55°C 至 +150°C。

    　　最大功耗：

    　　连续功耗：350mW(环境温度 25°C)。

    　　最大电流：

    　　漏极到源极电流：20mA。

    　　最大电压：

    　　漏极到体极电压：25V。

    　　漏极到源极电压：25V。

    　　栅极到源极电压：±30V。

    　　电气特性(25°C 时)

    　　封装

    　　封装类型：TO-72 4 引脚封装。

    　　应用场景

    　　2N4351 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET，适用于以下场景：

    　　开关电源：高效率的开关元件。

    　　信号处理电路：低导通电阻和快速开关特性使其适合高频信号处理。

    　　模拟开关：低漏电流和高跨导增益使其适合高精度模拟电路。

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