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    vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

    发布时间:2025-03-18 09:14:46     浏览:214

      Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二进制 MOS 电容芯片,每片芯片包含五个不同容量的电容,以二进制增量排列,为用户提供了多种容量选择。这些芯片采用 Vishay Electro-Films 先进的薄膜设备和制造技术生产,并经过 100% 电气测试和目视检查,符合 MIL-STD-883 标准。

    vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

      特性

      可键合性:支持线键合。

      用户容量选择:芯片上有五个电容,容量以二进制增量排列。

      芯片尺寸:

      CBB:0.019" x 0.048"(0402 封装)

      CBC:0.044" x 0.044"(0404 封装)

      容量范围:CBB 最高 31 pF,CBC 最高 93 pF。

      介质材料:二氧化硅(Silicon Dioxide)。

      低介质损耗。

      基底材料:半导体硅,背面镀金。

      应用场景

      CBB 和 CBC 二进制 MOS 多值电容芯片设计用于通过常规线键合技术添加或减去电容,以调整混合电路。

      电气规格

    参数CBBCBC单位
    总容量最高 31 pF最高 93 pFpF
    容量值1, 2, 4, 8, 16 pF3, 6, 12, 24, 48 pFpF
    容差±10%±10%%
    直流工作电压75 V75 VV
    最大工作电压75 V75 VV
    峰值电压(+25°C)1.5 x 工作电压1.5 x 工作电压V
    损耗因数(1 kHz, 1 VRMS, +25°C)0.10%0.10%%
    Q 值(1 mHz, 50 mVRMS, +25°C)最小 1000最小 1000-
    温度系数(-55°C 至 +150°C)+15 ± 25 ppm/°C+15 ± 25 ppm/°Cppm/°C
    绝缘电阻(工作电压,+25°C)最小 10^9 Ω最小 10^9 ΩΩ
    工作温度范围-55°C 至 +150°C-55°C 至 +150°C°C

      机械规格

    参数CBBCBC
    芯片尺寸0.019" x 0.048" ± 0.002"(0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm)0.044" x 0.044" ± 0.002"(1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm)
    芯片厚度0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)
    芯片基底材料半导体硅半导体硅
    介质材料二氧化硅(MOS)二氧化硅(MOS)
    键合垫最小 10 k? 铝(可选金)最小 10 k? 铝(可选金)
    背面材料最小 3 k? 金最小 3 k? 金

    订购指南:

    image.png

      部分型号:

      CBB1153100BKWS

      CBB3100BKAHWS

      CBB3100BKGKWS

      CBB6200BKAHWS

      CBC6200BKAHWS

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