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    Microchip 1N6461-1N6468系列：500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

    发布时间：2025-02-27 09:29:14     浏览：209

    　　Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 无空腔密封单向瞬态电压抑制器(TVS)，专为高可靠性应用设计，符合 MIL-PRF-19500/551 军用标准。

    Microchip 1N6461-1N6468系列：500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

    　　

     TypeMinimum
    Breakdown
    Voltage1
    V(Bey at I(aR)    		Breakdown
       Current
        l(BR)    		Rated
    Standoff
    Voltage
    VwM    		Maximum
    Standby
    Current
    lp at VRwM    		Maximum
    Clamping
    Voltage1
    Vcat lpp    		Maximum
    Peak Pulse
    Current1
    lpp    		Maximum
    Temp.Coef.
        of
      V(BR)
      Cv(BR)

    		at 8/20
    μs    		at 10/1000
       μs

    		VmAV(pk)μAV(pk)A(pk)  A(pk)%/℃
    1N64615.6 25 5 3000 9.0 315 56 0.03,+0.045
    1N64626.5 20 6 2500 11.0 258 46 +0.060 
    1N646313.6 5 12 500 22.6 125 22 +0.085 
    1N646416.4 5 15 500 26.5 107 19 +0.085 
    1N646527.0 2 24 50 41.4 69 12 +0.096 
    1N646633.0 1 30.5 3 47.5 63 11 +0.098 
    1N646743.7 1 40.3 2 63.5 45 8 +0.101 
    1N646854.0 1 51.6 2 78.5 35 6 +0.103 

          产品特点

    　　高可靠性：

    　　无空腔密封硬玻璃外壳，内部采用“Category 1”冶金连接。

    　　工作峰值电压(VWM)范围为 5.0 V 至 51.6 V。

    　　峰值脉冲功率(PPP)为 500 W。

    　　双层钝化?；?。

    　　符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等级。

    　　电气特性：

    　　8/20 μs 波形下的峰值脉冲电流(IPP)范围为 6 A 至 315 A。

    　　10/1000 μs 波形下的钳制电压(VC)范围为 9.0 V 至 78.5 V。

    　　反向漏电流(ID)小于 3000 μA。

    　　封装形式：

    　　提供轴向引脚封装和表面贴装 MELF 封装。

    　　封装材料为硬玻璃，具有良好的密封性和耐久性。

    　　环境适应性：

    　　工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。

    　　符合 RoHS 标准(仅商业级)。

    　　应用场景

    　　军事和高可靠性应用：适用于对可靠性要求极高的场景。

    　　ESD 和 EFT ?；ぃ悍?IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 标准。

    　　防雷?；ぃ耗芄坏钟椎缫鸬亩涡в?。

    　　工业应用：如传感器信号线、MOSFET ?；さ?。

    Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商，其军级二三级管产品，被广泛应用于全球高端市场，深圳市立维创展科技有限公司，授权代理销售Microsemi军级二三级产品，大量原装现货，欢迎咨询。

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