法国啄木乌av片在线播放,亚洲精品无码不卡av,992tv精品视频tv在线观看,99视频精品免视看

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

發(fā)布時間：2025-02-14 09:18:42     瀏覽：280

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

　　Infineon IRGB15B60KD是一款絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與超快軟恢復二極管的組合器件。

　　基本特性

　　低導通電壓：采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技術。

　　低二極管正向壓降：二極管的正向壓降較低，有助于降低功耗。

　　10μs 短路能力：能夠在 10 微秒內承受短路，具有較強的過載能力。

　　正溫度系數(shù)：VCE(on) 隨溫度升高而增大，有助于并聯(lián)工作時的電流分配。

　　超軟恢復特性：二極管的反向恢復特性非常柔和，有助于降低電磁干擾(EMI)。

　　主要參數(shù)

　　集電極 - 發(fā)射極電壓：600V。

　　連續(xù)集電極電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　脈沖集電極電流：62A。

　　二極管連續(xù)正向電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　最大柵極 - 發(fā)射極電壓：±20V。

　　最大功耗：25°C 時為 208W，100°C 時為 83W。

　　熱阻抗

　　結 - 外殼熱阻抗：IGBT 為 0.6°C/W，二極管為 2.1°C/W。

　　外殼 - 散熱器熱阻抗：0.50°C/W。

　　結 - 周圍環(huán)境熱阻抗：典型插件安裝為 62°C/W，PCB 安裝為 40°C/W。

　　電氣特性

　　集電極 - 發(fā)射極飽和電壓：在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 時為 1.8V。

　　柵極閾值電壓：3.5V 至 5.5V。

　　總柵極電荷：56nC 至 84nC。

　　開關損耗：TJ=25°C 時，總開關損耗為 560μJ 至 785μJ;TJ=150°C 時，總開關損耗為 835μJ 至 1070μJ。

　　反向恢復特性

　　反向恢復能量：540μJ 至 720μJ。

　　反向恢復時間：92ns 至 111ns。

　　應用場景

　　該器件適用于對效率和可靠性要求較高的電機控制應用，能夠提供高功率密度和低電磁干擾的解決方案。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

推薦資訊

  • CY7C374I-66AC復雜可編程邏輯器件CPLD
    CY7C374I-66AC復雜可編程邏輯器件CPLD 2024-05-29 09:10:15

    CY7C374I-66AC是Cypress的CPLD，具有128宏單元和64 I/O引腳，支持高達125 MHz的性能，可通過JTAG接口進行在系統(tǒng)編程。它具有總線保持功能，兼容PCI，支持3.3V或5.0V I/O操作，提供多種封裝選項，并與CY7C373i引腳兼容。適用于通信、工業(yè)控制和消費電子等領域。

  • CF1575.15B4A350.0AA1腔體過濾器Wi2Wi（PDI）
    CF1575.15B4A350.0AA1腔體過濾器Wi2Wi（PDI） 2024-10-21 09:32:49

    Wi2Wi CF系列定制腔體濾波器可根據(jù)特定需求定制，適用于地面基站雷達、無線電接收器和發(fā)射器等。頻率范圍400MHz至20,000MHz，帶寬百分比0.5%至60%，回波損耗14dB，輸入功率10W，支持帶通、帶阻等多種類型，典型響應包括切比雪夫、巴特沃斯等。工作溫度0°C至+70°C，存儲溫度-55°C至+125°C，濕度0至95%，振動和沖擊最高5G，高度最高70,000英尺。

在線留言

在線留言