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    Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

    发布时间:2024-12-23 09:05:11     浏览:328

      SMF182是一款500V N-Channel Power MOSFET,专为满足高电压和中等电流的电力转换需求而设计。它具备7A的连续漏极电流和850mΩ的导通电阻,确保了在各种应用中的高效能和低功耗。此外,SMF182还内置了快速恢复二极管,进一步优化了电力转换的效率。

    Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

      关键特性

      连续漏极电流 (ID):7A

      导通电阻 (RDS(on)):850mΩ

      漏源电压 (VDSmax):500V

      栅源电压 (VGSS):±20V(连续)

      连续漏极电流 (ID25):7A

      脉冲漏极电流 (ID(PULSE)):28A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

      功率耗散 (PD):163W

      结温范围,工作/存储 (TJ/TSTG):-55°C至150°C

      封装:TO-254 密封封装

      电气性能

      SMF182在电气性能上同样出色。它具有1.5V的体二极管正向电压和700ns的反向恢复时间,这些特性使得它在开关应用中表现出色。此外,其栅阈值电压在2至4V之间,确保了稳定的开关性能。

      热管理

      在热管理方面,SMF182的热阻为0.767°C/W,这意味着它能够在高功率耗散下保持较低的工作温度,从而提高了产品的可靠性和寿命。

      应用领域

      SMF182适用于多种电力转换应用,包括但不限于电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。其高电压和中等电流的特性,使其在这些领域中表现出色。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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