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C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon

發(fā)布時間：2024-11-29 08:54:42     瀏覽：299

C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon

　　C4H2350N10是Ampleon一款專為基站應用設計的10瓦特GaN(氮化鎵)功率晶體管，適用于2.3-2.7 GHz頻段的移動寬帶應用。

　　產(chǎn)品特點：

　　數(shù)字預失真能力：該晶體管具有出色的數(shù)字預失真能力，有助于提高信號質量和系統(tǒng)性能。

　　高效率：高效率設計有助于減少能量損耗，降低運行成本。

　　寬帶操作：設計用于寬帶操作，使其能夠適應不同頻率范圍內(nèi)的應用需求。

　　低輸出電容：較低的輸出電容有助于提高在各種應用中的性能。

　　環(huán)保合規(guī)：符合RoHS(限制有害物質使用)標準，符合環(huán)保要求。

　　應用領域：

　　基站射頻功率放大器：適用于2300 MHz至5000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站射頻功率放大器。

　　多載波應用：也適用于同一頻率范圍內(nèi)的多載波應用。

　　技術參數(shù)：

　　頻率范圍：2300 MHz至5000 MHz。

　　3dB增益壓縮下的標稱輸出功率：10W。

　　漏源電壓(VDS)：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為50V。

　　功率增益(Gp)：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為18.9dB。

　　漏效率(ηD)：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為15.5%。

　　平均輸出功率(PL(AV))：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為27dBm。

　　靜態(tài)漏源電流(IDq)：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為10mA。

　　鄰道功率比(ACPR)：在2496 MHz至2690 MHz頻率下，標稱值為-36.3dBc。

　Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業(yè)等多個領域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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