C4H2350N10 - 10W GaN封装功率晶体管Ampleon

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C4H2350N10 - 10W GaN封装功率晶体管Ampleon

发布时间：2024-11-29 08:54:42 浏览：628

C4H2350N10 - 10W GaN封装功率晶体管Ampleon

　　C4H2350N10是Ampleon一款专为基站应用设计的10瓦特GaN(氮化镓)功率晶体管，适用于2.3-2.7 GHz频段的移动宽带应用。

　　产品特点：

　　数字预失真能力：该晶体管具有出色的数字预失真能力，有助于提高信号质量和系统性能。

　　高效率：高效率设计有助于减少能量损耗，降低运行成本。

　　宽带操作：设计用于宽带操作，使其能够适应不同频率范围内的应用需求。

　　低输出电容：较低的输出电容有助于提高在各种应用中的性能。

　　环保合规：符合RoHS(限制有害物质使用)标准，符合环保要求。

　　应用领域：

　　基站射频功率放大器：适用于2300 MHz至5000 MHz频率范围内的基站射频功率放大器。

　　多载波应用：也适用于同一频率范围内的多载波应用。

　　技术参数：

　　频率范围：2300 MHz至5000 MHz。

　　3dB增益压缩下的标称输出功率：10W。

　　漏源电压(VDS)：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为50V。

　　功率增益(Gp)：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为18.9dB。

　　漏效率(ηD)：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为15.5%。

　　平均输出功率(PL(AV))：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为27dBm。

　　静态漏源电流(IDq)：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为10mA。

　　邻道功率比(ACPR)：在2496 MHz至2690 MHz频率下，标称值为-36.3dBc。

　Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商，提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线，适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域，深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线，欢迎咨询了解。

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