Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

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Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

发布时间：2024-08-26 10:02:03 浏览：415

　　IRF7309TRPBF是一款由IR公司生产的第五代HEXFET?功率MOSFET，它采用了先进的处理技术，旨在实现超低的导通电阻，从而在单位硅面积上达到尽可能低的电阻值。这款器件具有优越的速度开关性能和强健的设计，使其成为众多应用中的高效设备。

Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

　　主要特点：

　　第五代技术：利用最新的技术进步，提供优化的性能。

　　超低导通电阻：N沟道为0.050Ω，P沟道为0.10Ω，有助于减少功率损耗。

　　双N沟道和P沟道MOSFET：在一个封装内集成了两种类型的MOSFET，方便设计。

　　表面贴装：适用于自动化组装，提高生产效率。

　　提供卷带包装：便于大规模生产中的连续供应。

　　动态dv/dt等级：能够处理快速的电压变化率，提高系统的稳定性。

　　快速切换：快速开关特性有助于提高系统效率。

　　无铅：符合环保标准，减少对环境的影响。

　　封装类型：

　　SO-8封装：标准的表面贴装封装，适用于多种电路板设计。

参数：

Parametrics	IRF7309
ID (@25°C) max	4 A ; -3 A
Moisture Sensitivity Level	1
Ptot (@ TA=25°C) max	1.4 W
Package	SO-8
Polarity	N+P
QG (typ @4.5V)	16.7 nC ; 16.7 nC
Qgd (typ)	5.3 nC ; 6 nC
RDS (on) (@4.5V) max	80 m? ; 160 m?
RDS (on) (@10V) max	50 m? ; 100 m?
RthJA max	90 K/W
Tj max	150 °C
VDS max	30 V ; -30 V
VGS(th) min	-1 V ; 1 V
VGS max	20 V

IR HiRel原为美国知名半导体品牌，现被Infineon收购。深圳市立维创展科技有限公司，优势渠道供货IR高可靠性系列产品，欢迎各界前来咨询。

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