Solitron SMF178 500V N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-08-14 09:06:33 瀏覽:3278
Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n溝道功率MOSFET,專為需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),提供了出色的電氣特性和可靠性,使其成為各種工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中的理想選擇。
主要特性
漏極電流(I_D):23A。
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):260mΩ。
快恢復(fù)二極管:內(nèi)置的快恢復(fù)二極管提高了開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗。
雪崩額定:具備雪崩能力,增強(qiáng)了在極端電氣條件下的可靠性。
TO-254 密封封裝:堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì)。
背面隔離:提供額外的電氣隔離。
可用 JAN/TX, JAN/TXV 篩選:符合嚴(yán)格的篩選標(biāo)準(zhǔn)。
絕對最大額定值
漏-源電壓 (V_DS):500V。
柵-源電壓 (V_GS):±30V(脈沖)。
漏極電流(I_DS,連續(xù)):23A。
功率耗散(P_D):280W。
工作結(jié)及儲存溫度范圍(T_J, T_STG):-55°C~150°C。
電氣特性
漏-源擊穿電壓 (V(BR)DSS):500V(典型。
柵極開啟電壓 (V_GS(th)):2 ~ 5V。
漏-源關(guān)態(tài)電流 (I_DSS):最大100μA(V_DS=400V,V_GS=0V),最大250μA(V_DS=400V,V_GS=0V,T_J=125°C。
柵-源漏電流 (I_GSS):最大100nA。
全電荷(Q_g):最大150nC。
時(shí)間特性:轉(zhuǎn)換時(shí)間非常短(開通時(shí)間t_on最大100ns, 關(guān)斷時(shí)間t_off最大250ns)。
熱阻(R_thJC):最大0.445°C/W。
內(nèi)部二極管特性
二極管正向電壓 (V_SD):最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V),確保低正向電壓降。
二極管反向恢復(fù)時(shí)間 (t_rr):典型300ns,提高了二極管的恢復(fù)速度。
Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導(dǎo)體器件,適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機(jī)控制還是其他高功率應(yīng)用,SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
上一篇: Bliley BOVXE系列OCXO
推薦資訊
DEI1166-TES-G是一款用于航空電子系統(tǒng)的八通道分立數(shù)字接口BICMOS器件,具有多種特性,如內(nèi)部隔離二極管和3級引腳注入保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。適用于處理常見的八種離散信號,并提供穩(wěn)定的信號處理能力,滿足航空行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
CPLD(Complex Programmable Logic Device)是一種集成電路器件,具有高度靈活的可編程功能,可以根據(jù)用戶需求實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的邏輯功能編程。主要在通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動化、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)中應(yīng)用,用于控制和管理各種設(shè)備和系統(tǒng),提高設(shè)備及系統(tǒng)的性能、精度、靈活性和可靠性。
在線留言