• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
  • <legend id="omgwe"></legend>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
  • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET

    发布时间:2024-07-30 09:10:16     浏览:851

      IRF3205PBF是一款单N沟道功率MOSFET,属于IR (现被Infineon收购)MOSFET系列,采用TO-220封装,最大耐压为55V。该器件采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、开关电源(SMPS)、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装,具有行业标准封装,便于设计。

      特征描述

      平面单元结构:适用于宽安全工作区(SOA)。

      广泛可用性:针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化。

      产品认证:符合JEDEC标准。

      硅优化:针对开关频率低于100kHz的应用进行了优化。

      行业标准通孔功率套件。

      高电流额定值。

      优势

      提高坚固性。

      广泛可用性:来自分销合作伙伴。

      行业标准资质。

      在低频应用中具有高性能。

      标准引脚排列:允许直接替换。

      高电流能力:最大电流ID (@25°C)为110A。

      技术参数

      封装:TO-220。

      极性:N沟道。

      总栅极电荷(QG):典型值为97.3 nC(@10V)。

      栅源电荷(Qgd):36 nC。

      导通电阻(RDS(on)):最大值为8 mΩ(@10V)。

      热阻(RthJC):最大值为1 K/W。

      工作温度:最小-55°C,最大175°C。

      总功率耗散(Ptot):最大150W。

      最大结温(Tj):175°C。

      最大漏源电压(VDS):55V。

      栅源电压(VGS):最大20V。

      阈值电压(VGS(th)):最小3V,最大4V。

    深圳市立维创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。

    推荐资讯

    • ADI Turnkey Known Good Die (KGD)
      ADI Turnkey Known Good Die (KGD) 2020-12-04 15:32:25

      ADI从2006年年中开始提供已知良好的裸片(KGD)。ADI的KGD工艺允许以模具的形式装运产品,以满足极高的质量和可靠性标准。KGD的目标是为模具提供完整的产品规格(快速功能测试、老化过程和PM级缺陷),以满足完整的产品规格(快速功能测试、老化过程和PM级缺陷)。众所周知的良好模具制造工艺是客户应用零缺陷的理想解决方案。

    • IR HiRel DC-DC转换器电源管理IC(PMIC)
      IR HiRel DC-DC转换器电源管理IC(PMIC) 2021-03-26 17:06:26

      ?IR HiRel?为各种各样应用优化了高密度的PMIC解决方案,IR HiRel高度集成化的PMIC产品的创新性产品组合为工业生产和汽车行业的各种应用带来了可扩展和高效的解决方案。检测、类型、功能安全支持和诸多其它的集成化功能能够简单化客户设计构思,合理有效地节省电路板空间。

    在线留言

    在线留言

    国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>