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Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間:2024-07-30 09:10:16     瀏覽:2974

  IRF3205PBF是一款單N溝道功率MOSFET,屬于IR (現(xiàn)被Infineon收購)MOSFET系列,采用TO-220封裝,最大耐壓為55V。該器件采用成熟的硅工藝,為設(shè)計人員提供了廣泛的器件組合,以支持各種應(yīng)用,如直流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源(SMPS)、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于設(shè)計。

  特征描述

  平面單元結(jié)構(gòu):適用于寬安全工作區(qū)(SOA)。

  廣泛可用性:針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化。

  產(chǎn)品認(rèn)證:符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

  硅優(yōu)化:針對開關(guān)頻率低于100kHz的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

  行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔功率套件。

  高電流額定值。

  優(yōu)勢

  提高堅固性。

  廣泛可用性:來自分銷合作伙伴。

  行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)。

  在低頻應(yīng)用中具有高性能。

  標(biāo)準(zhǔn)引腳排列:允許直接替換。

  高電流能力:最大電流ID (@25°C)為110A。

  技術(shù)參數(shù)

  封裝:TO-220。

  極性:N溝道。

  總柵極電荷(QG):典型值為97.3 nC(@10V)。

  柵源電荷(Qgd):36 nC。

  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):最大值為8 mΩ(@10V)。

  熱阻(RthJC):最大值為1 K/W。

  工作溫度:最小-55°C,最大175°C。

  總功率耗散(Ptot):最大150W。

  最大結(jié)溫(Tj):175°C。

  最大漏源電壓(VDS):55V。

  柵源電壓(VGS):最大20V。

  閾值電壓(VGS(th)):最小3V,最大4V。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。

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