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    Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET

    发布时间:2024-07-23 09:02:08     浏览:616

      3N163和3N164是Linear Systems增强型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),以其非常高的输入阻抗、高栅极击穿电压、快速切换和低电容特性而著称。这些特性使得它们在电子电路中非常受欢迎。

    Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET

      特点

      非常高的输入阻抗

      高栅极击穿电压

      超低漏电流

      快速切换

      低电容

      最大额定值

      封装:提供了TO-72和SOT-143两种封装形式

      规格参数:

    ELECTRICAL CHARACTERISTICs @25℃ (unless otherwise noted)
    SYMBOLCHARACTERISTIC3N1633N164UNITSCONDITIONS

    Gate Leakage CurrentMINMAXMINMAXpAVGs=-40V,Vos=0(3N163),Vso=0V
    Gss
    -10 
    -10 

    TA=+125℃
    25 
    -25 Vgs=-30V,Vos=0(3N164),Vsa=0V
    BVpssDrain-Source Breakdown Voltage40 
    30 
    lo=-10μA Vgs=0,Vas=0
    BVspsSouce-Drain Breakdown Voltage40 
    30 
    Vls=-10μA Vgo=0,Vep=0
    VGsmThreshold Voitage-2.0 -5.0 -2.0 -5.0 Vos=VGs lo=-10μA,Vss=0V
    VGsGate Source Voltage (on)-3.0 -6.5 -3.0 -6.5 Vos=-15V lo=-0.5mA,Vsa=0V
    lossZero Gate Voltage,Drain Current (off)
    -200 
    -400 pAVos=-15V Vgs=0,Vsa=0V
    lsDsZero Gate Voltage,Source Current
    -400 
    800 Vso=-15V Vgs=0,VoB=0V
    RpsionDrain-Source on Resistance
    250 
    300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA,Vsg=0V
    lptomOn Drain Current-5.0 30 -3.0 30 mAVos=-15V VGs=-10V,Vse=0V
    gisForwardTransconductance2.0 4.0 1.0 4.0 mSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
    9ogOutput Admittance
    250 
    250 μS
    CsInput Capacitance-Output Shorted
    3.5 
    3.5 pFVos=-15V  lo=-10mA1f=1MHz
    CssReverse Transfer Capacitance
    0.7 
    0.7 
    CossOutput Capacitance Input Shorted
    3.0 
    3.0 

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