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    Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET

    发布时间：2024-07-22 10:19:25     浏览：463

    　　SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N沟道功率MOSFET，专为高效率和高可靠性的功率电子应用设计。该器件采用了先进的碳化硅(SiC)技术，提供了卓越的电气性能和热性能，使其成为各种工业和能源应用的理想选择。

    Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET

    　　主要特点(Key Features)

    　　漏极电流 (I_D): 58A

    　　导通状态电阻 (R_DS(on)): 50mΩ

    　　封装类型: TO-247-3 塑料封装

    　　优势(Benefits)

    　　SD11720 MOSFET具有多项显著优势，包括：

    　　低导通电阻的高阻断电压: 这使得器件在高压应用中能够提供高效率和低损耗。

    　　低电容的高速开关: 高速开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。

    　　高工作结温能力: 能够在高达175°C的结温下工作，增强了器件的可靠性和耐久性。

    　　较强的内置体二极管性能: 这对于需要反向恢复特性的应用尤为重要。

    　　应用(Applications)

    　　SD11720 MOSFET广泛应用于以下领域：

    　　- 太阳能逆变器

    　　- 不间断电源 (UPS)

    　　- 电机驱动器

    　　- 高电压直流/直流转换器

    　　- 开关模式电源

    　　绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)

    SYMBOL CHARACTERISTIC                        TEST CONDITIONS                        VALUE    UNIT
    VosmxDrain-Source VoltageVs=0V,I=100μA1200 V

    		Gate-SourceVoltageAbsolute maximum values-5/+20V
    lContinuous Drain Current (see fig.21)V=20V,T=25℃
    Vs=20V,T[=100℃    		58
    43
    A
    A
    D,pulsePulsed Drain Current     (see fig.24)Pulse Width Limited by SOA15 A
    PMaximum Power Dissipation (see fig.22)T=25℃327 W
    T,TsmJunction Temperature,Operatingand Storage
    		-55 to +175℃
    ISolder TemperatureWave solderingonly allowed at leads,1.6mm from
    case for 10s    		260 ℃

    　　SD11720 MOSFET的高性能和广泛的应用范围使其成为功率电子领域的关键组件。无论是用于太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器还是高电压DC/DC转换器，SD11720都能提供卓越的性能和可靠性，满足现代功率电子系统对高效率和高可靠性的要求。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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