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    Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

    发布时间：2024-06-18 09:12:31     浏览：712

    　　SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生产的电子元件，属于Si3495DV系列。这款MOSFET采用了TSOP-6封装类型，具有8个引脚，并以其独特的引脚排列方式(Dgume Number 1 73350)进行标识。其主要规格包括：工作电压范围为2.5 V至5.5 V，耐压能力达到1000 V DC，电流容量为200mA/100mΩ，开关频率为2 MHz，绝缘电阻最小值为1.0 kΩ/1000 V DC。此外，该MOSFET还具备其他典型的特性和应用优势，满足各种电路设计和应用的需求。

    Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

    ABSOLUTE      MAXIMUM      RATINGS    TA=25    ℃,unless    otherwise    noted
    ParameteSymbol5 sSteady StateUnit
    Drain-Source VoltageVps-20V
    Gate-Source VoltageVgs±5
    Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2TA=25 ℃lb-7-5.3A
    TA=85℃-3.6-3.9
    Pulsed Drain CurrenDM-20
    Continuous Source Current (Diode Conduction)ls-1.7-0.9
    Maximum Power DissipationaTA=25℃Po2.01.1W
    TA=85 ℃1.00.6
    Operating Junction and Storage Temperature RangeTJT-55 to 150℃

    THERMAL         RESISTANCE         RATINGS
    ParameterSymbolTypicalMaximumUnit
    Maximum Junction-to-Ambientat≤5sRmIA4562.5C/W
    Steady State90110
    Maximum Junction-to-Foot (Drain)Steady StateRmJF2530

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