Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-06-18 09:12:31 瀏覽:2133
SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件,屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類型,具有8個(gè)引腳,并以其獨(dú)特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進(jìn)行標(biāo)識(shí)。其主要規(guī)格包括:工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V,耐壓能力達(dá)到1000 V DC,電流容量為200mA/100mΩ,開關(guān)頻率為2 MHz,絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外,該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì),滿足各種電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用的需求。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 ℃,unless otherwise noted | |||||
Paramete | Symbol | 5 s | Steady State | Unit | |
Drain-Source Voltage | Vps | -20 | V | ||
Gate-Source Voltage | Vgs | ±5 | |||
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2 | TA=25 ℃ | lb | -7 | -5.3 | A |
TA=85℃ | -3.6 | -3.9 | |||
Pulsed Drain Curren | DM | -20 | |||
Continuous Source Current (Diode Conduction) | ls | -1.7 | -0.9 | ||
Maximum Power Dissipationa | TA=25℃ | Po | 2.0 | 1.1 | W |
TA=85 ℃ | 1.0 | 0.6 | |||
Operating Junction and Storage Temperature Range | TJT | -55 to 150 | ℃ | ||
THERMAL RESISTANCE RATINGS | |||||
Parameter | Symbol | Typical | Maximum | Unit | |
Maximum Junction-to-Ambienta | t≤5s | RmIA | 45 | 62.5 | C/W |
Steady State | 90 | 110 | |||
Maximum Junction-to-Foot (Drain) | Steady State | RmJF | 25 | 30 |
相關(guān)推薦:
Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模塊
更多vishay相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
MICRON在技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域出現(xiàn)全球現(xiàn)實(shí),狀況MICRON方案加快了數(shù)據(jù)信息智能化的轉(zhuǎn)換,鼓勵(lì)著全球以解決速率學(xué)習(xí)培訓(xùn)、溝通交流和進(jìn)步。MICRON提供世界上最廣泛的技術(shù)應(yīng)用組合,作為當(dāng)今社會(huì)最重要的突發(fā)性突破的核心理念,如人工智能技術(shù)和自動(dòng)駕駛汽車。
Ampleon公司為國(guó)防通信和電子對(duì)抗等場(chǎng)景提供硅橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Si LDMOS)和氮化鎵碳化硅高電子遷移率晶體管(GaN-SiC HEMT)兩種晶體管技術(shù),對(duì)比了其電壓范圍、適用頻段、典型功率等特性及優(yōu)勢(shì)場(chǎng)景,還分別列出了Si LDMOS和GaN-SiC HEMT系列型號(hào)的參數(shù)等信息,Ampleon是射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商,產(chǎn)品適用于多領(lǐng)域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司可分銷其產(chǎn)品。
在線留言