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  Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET 2024-08-21 09:18:47

  Linear Systems的3N170和3N171是單N溝道增強型MOSFET，適用于快速切換和低漏源電阻應(yīng)用。它們具有低電阻（r_ds(on) ≤ 200Ω）、快速開關(guān)時間（t_d(on) ≤ 3.0ns），并可在-55至+135°C的結(jié)溫下工作。這些器件的連續(xù)功率耗散為300mW，最大電流為30mA，最大電壓為±35V（漏到柵和柵到源）和25V（漏到源）。

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  440LS10-R陶瓷盤EMI抑制電容器VISHAY 2024-07-09 09:12:49

  440LS10-R 是一款由VISHAY生產(chǎn)的高性能陶瓷盤EMI抑制電容器，符合IEC 60384-14標(biāo)準(zhǔn)，濕度等級為IIIB。具有高可靠性、徑向引線、高電容值可達(dá)20 nF，適用于交流電路中的安全應(yīng)用。主要用于X1, Y1類電容器，線路到線路和線路到地過濾，以及開關(guān)電源中的耦合應(yīng)用。陶瓷盤結(jié)構(gòu)，兩側(cè)銀鍍層，引線采用鍍錫銅線，直徑0.81毫米，間距9.5毫米。電容范圍10 pF到20 nF，額定電壓X1類760 VAC，Y1類500 VAC，介電強度工廠測試4000 VAC，絕緣電阻最小1000 MΩ，損耗因子最大2.0%，使用溫度范圍-30 °C到+125 °C。