IRFP4768PbF功率MOSFET英飛凌(Infineon)?
發(fā)布時(shí)間:2024-03-28 11:25:04 瀏覽:592
IRFP4768PbF是英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的StrongIRFET?功率MOSFET,采用TO-247封裝,適用于250V單N溝道設(shè)計(jì)。
StrongIRFET?功率MOSFET系列經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化,具有低RDS(on)和高電流承受能力,特別適用于對(duì)性能和可靠性要求較高的低頻應(yīng)用場(chǎng)景。該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
特點(diǎn):
- 針對(duì)分銷(xiāo)合作伙伴的最廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化
- 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證要求
- 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔電源封裝
- 具有高電流額定值
優(yōu)勢(shì):
- 來(lái)自分銷(xiāo)合作伙伴的廣泛可用性
- 符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)等級(jí)
- 標(biāo)準(zhǔn)引腳排列,可直接替換使用
- 高功率密度
潛在應(yīng)用:
- SMPSUPS
- 太陽(yáng)能逆變器
- 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
- 不間斷電源(UPS)
- 單相組串式逆變器解決方案
- 離線UPS中的高頻變壓器
規(guī)格參數(shù):
- ID (@25°C) max:93 A
- 安裝方式:THT
- 工作溫度范圍:-55°C 到 175°C
- 最大功耗:520 W
- 封裝形式:TO-247
- 極性:N溝道
- 輸入電荷QG (typ @10V):180 nC
- 輸出電荷Qgd:72 nC
- 開(kāi)啟時(shí)的導(dǎo)通電阻RDS(on) (@10V) 最大值:17.5 mΩ
- 導(dǎo)熱阻抗 RthJC 最大值:0.29 K/W
- 最高結(jié)溫:175°C
- 最大耐壓:250 V
- 門(mén)極-源極閾值電壓VGS(th):4 V至5 V
- 最大門(mén)極-源極電壓VGS:20 V
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)分銷(xiāo)Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
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Renesas?提供多元化功放產(chǎn)品組合,包括精密/高速運(yùn)算功放(計(jì)算功放)、儀表功放(儀表功放)、差分功放、電流反饋功放、固定增益功放、高效DD類(lèi)音頻功放、電流檢測(cè)功放和數(shù)字電源監(jiān)控器。廣泛的差距功放產(chǎn)品組合包括低噪音功放、可編程增益儀表功放、固定增益差距功放、單電源視頻驅(qū)動(dòng)、差距視頻功放、電流反饋功放、單位增益穩(wěn)定運(yùn)算功放、差距雙絞線驅(qū)動(dòng)、軌道到達(dá)-rail功放等。
?20世紀(jì)50年代,鍺(GE)最開(kāi)始是用作分立器件的半導(dǎo)體材料。ic集成電路的出現(xiàn)是半導(dǎo)體工業(yè)化向前邁開(kāi)的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達(dá)拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產(chǎn)制造了第一個(gè)以鍺半導(dǎo)體材料為襯底的ic集成電路。
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