SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices
發(fā)布時(shí)間:2023-12-27 09:58:19 瀏覽:1563
Solitron SD11705 和 SD11707 是兩款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件,采用密封的 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用而設(shè)計(jì)。工作溫度范圍為-55°C至175°C,兩款器件均提供50A的連續(xù)漏極電流。SD11705提供 RDS(開)為 32mΩ,而 SD11707 具有 RDS(開)16mΩ。也可根據(jù)要求提供 200°C 工作溫度。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關(guān)性能,并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低,因此效率水平高于硅,從而在接通和關(guān)斷階段產(chǎn)生更高的開關(guān)功率和更少的能量。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。
密封封裝與高溫操作相結(jié)合,使SD11705和SD11707非常適合需要小尺寸、輕量和高效率的最堅(jiān)固的電源和電機(jī)控制應(yīng)用。
SD11705 和 SD11707 提供 COTS、TX、TXV 和空間級(jí)篩選。
關(guān)于SOLITRON DEVICES
Solitron Devices 總部位于美國(guó)佛羅里達(dá)州西棕櫚灘,為需要極致性能和可靠性的系統(tǒng)制造功率半導(dǎo)體和集成電源解決方案。航空航天、國(guó)防、工業(yè)和航天領(lǐng)域的客戶依靠Solitron的創(chuàng)新產(chǎn)品來開發(fā)更小、更輕、更高效的系統(tǒng)級(jí)電源解決方案。
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SD11487為半橋配置,帶有兩個(gè)1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個(gè)與MOSFET并聯(lián)的續(xù)流1200V SiC肖特基二極管和一個(gè)集成NTC溫度傳感器。額定連續(xù)漏極電流為 95A。
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