Q-Tech適用于極端溫度和井下應(yīng)用的高溫晶體振蕩器
發(fā)布時(shí)間:2021-03-23 16:59:42 瀏覽:2309
Q-Tech公司為井下應(yīng)用領(lǐng)域提供高溫、最優(yōu)秀的混合晶體振蕩器。產(chǎn)品主要包括標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和音叉頻率時(shí)鐘。
Q-Tech振蕩器的設(shè)計(jì)構(gòu)思工作溫度范圍從-55°C到+200°C(最高可達(dá)+250°C-請(qǐng)聯(lián)系Q-Tech)。Q-Tech高溫振蕩器設(shè)計(jì)構(gòu)思用作極端化環(huán)境,如井下鉆探、持續(xù)高溫航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器、噴氣式發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器、地?zé)崮茉春凸I(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。除去能承受持續(xù)高溫環(huán)境外,Q-Tech振蕩器還能抵抗高沖擊性和振動(dòng)。
所有的Q-Tech產(chǎn)品在高可靠性設(shè)計(jì)、產(chǎn)品質(zhì)量、如期交貨和超一流的客戶服務(wù)方面都實(shí)現(xiàn)了Q-Tech的高標(biāo)準(zhǔn)。Q-Tech專注于為客戶提供技術(shù)領(lǐng)先的頻率控制解決方案。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)代理銷售Q-TECH產(chǎn)品,備用部分現(xiàn)貨,歡迎與業(yè)界同行合作。
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Package | Dimensions (mm) | Market | Device Type | Logic Type | Supply Voltage | Stability |
QTCH230 | 2.50 x 3.20 x 1.15 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH230 (32K768) | 2.50 x 3.20 x 1.15 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH350 | 3.20 x 5.00 x 1.20 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH350 (32K768) | 3.20 x 5.00 x 1.20 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH570 | 5.00 x 7.00 x 1.40 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH570 (32K768) | 5.00 x 7.00 x 1.40 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QT1123L, QS1123L, QG1123L | 22.35 x 12.83 x 5.08 | High Temp | XO - RTC | CMOS | -5.2 to -4.5Vdc & 1.8 to 15Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT2024 | 12.8 x 12.8 x 5.08 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 3.3Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT380, QT381, QT382, QT383, QT384, QT385, QT386, QT387, QS380, QS381, QS382, QS383, QS384, QS385, QS386, QS387 | 5.0 x 7.0 x 2.54 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QT581, QT582, QT583, QT584, QT588, QT589, QT590, QT592, QS581, QS582, QS583, QS584, QS588, QS589, QS590, QS592 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT81, QS81 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | 5x7 w/ 4pt Mount | CMOS, L | 1.8 to 5Vdc | ±175ppm to ±450ppm |
QT86 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | 5x7 w/ 4pt Mount | CMOS, LVH | 1.8 to 5Vdc | ±175ppm to ±450ppm |
推薦資訊
Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116標(biāo)準(zhǔn)的軍用級(jí)開(kāi)關(guān)/信號(hào)二極管,采用陶瓷體結(jié)構(gòu)、表面貼裝UB封裝,具有低電容、開(kāi)關(guān)速度快等特性,提供多種極性且有JAN、JANTX和JANTXV級(jí)別認(rèn)證并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)等多種應(yīng)用;有明確的最大額定值(如結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度-65至+200°C等)和電氣特性(如正向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間等);機(jī)械方面外殼為陶瓷,端子為鎳底層上的金鍍層,重量小于0.04克。
IGBT通常用于大功率逆變器和轉(zhuǎn)換器電路,需要大量的隔離柵極驅(qū)動(dòng)功率才能實(shí)現(xiàn)最佳開(kāi)關(guān)。硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)也有類似的要求。本文將為您介紹與村田制作所推出的IGBT/MOSFET相匹配的小型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的性能特點(diǎn)。
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