Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET
发布时间:2025-05-29 09:00:32 浏览:864
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引脚封装,低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),具有雪崩能力,气密封装,适用于高可靠性应用。
主要参数
漏源电压(VDS):1200V
连续漏极电流(ID):25°C时为17A
导通电阻(RDS(on)):25°C时为160mΩ
栅极阈值电压(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作温度(TJ):-55°C~+175°C
体二极管特性
正向电压(VSD):4.25V
反向恢复时间(trr):34ns
反向恢复电荷(Qrr):197nC
应用领域
开关电源
DC-DC转换器
PFC电路
电机驱动
机器人控制
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