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    Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

    发布时间:2025-05-29 09:00:32     浏览:864

      Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引脚封装,低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),具有雪崩能力,气密封装,适用于高可靠性应用。

    Solitron Devices SD11714 1200V SiC  N沟道功率MOSFET

      主要参数

      漏源电压(VDS):1200V

      连续漏极电流(ID):25°C时为17A

      导通电阻(RDS(on)):25°C时为160mΩ

      栅极阈值电压(VGS(th)):1.8V~3.6V

      最大功耗(PD):97W

      工作温度(TJ):-55°C~+175°C

      体二极管特性

      正向电压(VSD):4.25V

      反向恢复时间(trr):34ns

      反向恢复电荷(Qrr):197nC

      应用领域

      开关电源

      DC-DC转换器

      PFC电路

      电机驱动

      机器人控制

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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