• <legend id="omgwe"></legend>
    <tr id="omgwe"><code id="omgwe"></code></tr>
    • <legend id="omgwe"></legend>
    • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>
    • <tr id="omgwe"><input id="omgwe"></input></tr>

    FSLD52TE-156.25MHz晶体控制振荡器Connor-Winfield

    发布时间：2025-01-06 09:00:53     浏览：395

    FSLD52TE-156.25MHz晶体控制振荡器Connor-Winfield

    　　Connor-Winfield FSLD52TE是一款表面贴装3.3V固定频率晶控振荡器(XO)，具有HCMOS三态输出。FSLD52TE专为需要低抖动和严格频率稳定性的应用而设计。

    　　产品特点：

    　　表面贴装3.3V固定频率晶体控制振荡器(XO)

    　　HCMOS三态输出

    　　适用于需要低抖动和高频率稳定性的应用

    　　低抖动：<1ps RMS

    　　三态使能/禁用功能

    　　表面贴装封装

    　　胶带和卷轴包装

    　　电气规格：

    　　中心频率：19.44 MHz至167 MHz

    　　总频率容差：±50ppm

    　　工作温度范围：0°C至70°C

    　　供电电压(Vcc)：3.0V至3.6V DC

    　　供电电流(Icc)：2至31.999 MHz时为50mA

    　　抖动(10Hz至20MHz带宽)：5ps RMS

    　　抖动(12kHz至20MHz带宽)：1ps RMS

    　　单边带相位噪声(10Hz偏移)：-75dBc/Hz

    　　单边带相位噪声(100Hz偏移)：-100dBc/Hz

    　　单边带相位噪声(1kHz偏移)：-125dBc/Hz

    　　单边带相位噪声(10kHz偏移)：-135dBc/Hz

    　　单边带相位噪声(100kHz偏移)：-140dBc/Hz

    　　输入特性：

    　　使能电压(Vih)：2.0V DC

    　　禁用电压(Vil)：0.5V DC

    　　HCMOS输出特性：

    　　负载：50pF

    　　高电平电压(Voh)：Vcc-0.5V

    　　低电平电压(Vol)：0.4V

    　　高电平电流(Ioh)：-24mA

    　　低电平电流(Iol)：24mA

    　　占空比：45%至55%

    　　上升/下降时间：1.5ns

    　　启动时间：10ms

    相关推荐：

    供应Connor-Winfield温度补偿晶体振荡器TCXO 

    供应Connor-Winfield压控温度补偿晶体振荡器VCTCXO 

    供应Connor-Winfield压控晶体振荡器VCXO 

    供应Connor-Winfield恒温晶体振荡器OCXO 

    供应Connor-Winfield压控恒温晶体振荡器VCOCXO

    供应Connor-Winfield时钟同步发生器 

    供应Connor-Winfield频率转换?？?/a>

    更多Connor-Winfield晶振产品可咨询立维创展。

    上一篇: D01PB406MRT,D01PB904FRUTAH圆形塑料连接器Hypertronics现货

    下一篇: ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA现场可编程门阵列Lattice

    推荐资讯

    • Wi2Wi VN05系列恒温晶体振荡器OCXO 10MHz至50MHz
      Wi2Wi VN05系列恒温晶体振荡器OCXO 10MHz至50MHz 2025-02-25 09:24:12

      VN05系列是一款高精度恒温晶体振荡器（OCXO），专为高要求的应用场景设计，采用双层密封石英晶体技术，确保在高振动环境中保持卓越性能，并具备极低的相位噪声。其频率范围为10.000MHz至50.000MHz，频率稳定性高达±5ppb至±100ppb，相位噪声在1Hz处低至-90dBc/Hz。该系列支持宽工作电压（3.3V至12.0V）和温度范围（可选0~+70°C、-20~+70°C、-40~+85°C），并提供数字（TTL/CMOS或LVCMOS）和模拟（正弦波）输出格式。此外，VN05系列具备频率微调能力（最小±500ppb）、低功耗（稳态功耗最大1.5W）和紧凑封装（25.40mm×22.00mm×13.00mm），并支持定制频率，广泛应用于通信基站、雷达系统、高精度测量仪器以及航空航天和国防领域。

    • Infineon英飞凌P沟道功率MOSFET
      Infineon英飞凌P沟道功率MOSFET 2024-11-11 09:27:06

      Infineon的P沟道功率MOSFET系列专为中低功率应用设计，具有空穴流载流子、负栅极电压需求、简化设计和广泛电压等级等特点，优化电路设计并易于获取。提供多种封装类型，广泛应用于电池?；?、反极性?；?、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动等领域，包括工业和汽车应用，特别是车规级产品。

    在线留言

    在线留言

     国产成人无码网站 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>