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    IRLML6401TRPBF:12V单通道P沟道功率MOSFET

    发布时间:2024-11-08 09:15:26     浏览:1112

    IRLML6401TRPBF:12V单通道P沟道功率MOSFET

      IRLML6401TRPBF是由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET,采用微型3(SOT-23)封装,是专为低功耗和低频率应用设计的高效能半导体器件。以下是该产品的详细特点和优势:

      产品特点:

      平面单元结构:提供宽广的安全工作区域(SOA),增强了器件的可靠性和耐用性。

      广泛可用性:针对分销合作伙伴优化,确保了产品的可获得性。

      JEDEC标准认证:按照电子行业标准进行产品认证,保证了产品的质量和一致性。

      硅片优化:特别优化用于低于100kHz的开关应用,确保了在低频条件下的高性能。

      行业标准封装:采用行业标准的表面贴装封装,便于自动化装配和设计替换。

      产品优势:

      增强的鲁棒性:设计上注重提高器件的耐用性和可靠性。

      广泛的分销网络:确保了产品的广泛可获得性。

      行业标准的认证:提供了符合行业标准的认证水平。

      低频应用中的高性能:在低频开关应用中表现出色。

      直接替换能力:标准的引脚排列允许直接替换其他兼容器件。

      潜在应用:

      DC开关:适用于直流电路中的开关控制。

      负载开关:用于控制电气负载的开启和关闭。

      技术规格:

      最大漏极电流(@25°C):-4.3 A

      潮湿敏感度等级:1级

      安装类型:表面贴装(SMD)

      最大功耗(@TA=25°C):1.3 W

      封装类型:SOT-23

      极性:P沟道

      门极电荷(@4.5V):典型值10 nC

      门极-漏极电荷:2.6 nC

      导通电阻(@4.5V):最大50 mΩ

      热阻(JA):最大100 K/W

      特色功能:小功率

      最大结温:150°C

      最大漏源电压:-12 V

      门源电压阈值:最小-0.55 V,最大-0.95 V至-0.4 V

      门极电压:最大8 V

      IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特点,非常适合用于各种低功耗和低频率的开关应用,如电源管理、电机控制和电池供电设备。深圳市立维创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。

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