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    Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET

    发布时间：2024-07-23 09:02:08     浏览：714

    　　3N163和3N164是Linear Systems增强型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，以其非常高的输入阻抗、高栅极击穿电压、快速切换和低电容特性而著称。这些特性使得它们在电子电路中非常受欢迎。

    Linear Systems 3N163/3N164 P沟道MOSFET

    　　特点

    　　非常高的输入阻抗

    　　高栅极击穿电压

    　　超低漏电流

    　　快速切换

    　　低电容

    　　最大额定值

    　　封装：提供了TO-72和SOT-143两种封装形式

    　　规格参数：

    ELECTRICAL CHARACTERISTICs @25℃ (unless otherwise noted)
    SYMBOLCHARACTERISTIC3N1633N164UNITSCONDITIONS

    		Gate Leakage CurrentMINMAXMINMAXpAVGs=-40V,Vos=0(3N163),Vso=0V
    Gss
    		-10 
    		-10 

    		TA=+125℃
    		25 
    		-25 Vgs=-30V,Vos=0(3N164),Vsa=0V
    BVpssDrain-Source Breakdown Voltage40 
    		30 
    		lo=-10μA Vgs=0,Vas=0
    BVspsSouce-Drain Breakdown Voltage40 
    		30 
    		Vls=-10μA Vgo=0,Vep=0
    VGsmThreshold Voitage-2.0 -5.0 -2.0 -5.0 Vos=VGs lo=-10μA,Vss=0V
    VGsGate Source Voltage (on)-3.0 -6.5 -3.0 -6.5 Vos=-15V lo=-0.5mA,Vsa=0V
    lossZero Gate Voltage,Drain Current (off)
    		-200 
    		-400 pAVos=-15V Vgs=0,Vsa=0V
    lsDsZero Gate Voltage,Source Current
    		-400 
    		800 Vso=-15V Vgs=0,VoB=0V
    RpsionDrain-Source on Resistance
    		250 
    		300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA,Vsg=0V
    lptomOn Drain Current-5.0 30 -3.0 30 mAVos=-15V VGs=-10V,Vse=0V
    gisForwardTransconductance2.0 4.0 1.0 4.0 mSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
    9ogOutput Admittance
    		250 
    		250 μS
    CsInput Capacitance-Output Shorted
    		3.5 
    		3.5 pFVos=-15V  lo=-10mA1f=1MHz
    CssReverse Transfer Capacitance
    		0.7 
    		0.7 
    CossOutput Capacitance Input Shorted
    		3.0 
    		3.0 

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